NESG270034-T1-AZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

E

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

SiGe

Polarità del transistor:

NPN

Emettitore-tensione di base VEBO:

2.8 V

Corrente continua del collettore:

0.75 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Pacchetto/custodia:

Mini-Stampo Power

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

25 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80 at 100 mA at 3 V

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Frequenza operativa:

900 MHz

Tipo:

RF silicio germanio

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

CEL

Pd - Dissipazione di potenza:

1900 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

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NESG270034-T1-A, NESG270034-T, NESG27, NESG2, NESG, NES