FDMA410NZT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UMLP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

2.05 mm

Serie:

FDMA410NZT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.05 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

36 S

Tempo di caduta:

3.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.5 ns

Unità di peso:

0.001411 oz

Tags

FDMA41, FDMA4, FDMA, FDM