DMN6075S-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.15 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

Modalità di miglioramento MOSFET

Serie:

DMN60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Modalità di miglioramento MOSFET

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMN6075, DMN607, DMN60, DMN6, DMN