RGT8NS65DGC9

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.65 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

8 A

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente di dispersione gate-emettitore:

200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

RGT8NS65D(TO-262)

Tags

RGT8N, RGT8, RGT