NP100P04PDG-E1-AY

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.45 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.15 mm

Marca:

Renesas Elettronica

Tempo di caduta:

100 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

300 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

38 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1