NVD4810NT4G-VF01

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

54 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

9 S

Tempo di caduta:

2.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.2 ns

Tags

NVD4810NT, NVD4810, NVD481, NVD48, NVD4, NVD