SS8050DBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

SS8050

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.93 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

85

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

SS8050DBU_NL

Unità di peso:

0.006314 oz

Tags

SS8050DBU, SS8050DB, SS8050D, SS8050, SS805, SS80, SS8