FDMS8090

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A, 8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

59 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Power Stage PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

6 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

FDMS8090

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

24 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.6 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS80, FDMS8, FDMS, FDM