PMDT290UCEH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-666-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

800 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

0.68 nC, 1.14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1090 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

1.6 S, 610 mS

Tempo di caduta:

31 ns, 72 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

86 ns, 80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD