UMT18NTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 100 mV

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

260 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

680

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

270

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

UMT18N

Tags

UMT18NT, UMT18N, UMT18, UMT1, UMT