STU9HN65M2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

820 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

11.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

16.1 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

STU9HN65M2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MDmesh M2

Larghezza:

6.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

14.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

STU9, STU