FDS89161

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

105 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS89161

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

5 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.006596 oz

Tags

FDS8916, FDS891, FDS89, FDS8, FDS