IRF9Z14PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

43 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.49 mm

Lunghezza:

10.41 mm

Serie:

IRF9Z

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S

Tempo di caduta:

31 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

63 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRF9Z14, IRF9Z1, IRF9Z, IRF9, IRF