ZXT13P12DE6TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 29 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 150 mV

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

55 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXT13P12

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1.3 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 4 A, 2 V, 20 at 15 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000229 oz

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