TSC136CZ C0G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

30

Confezione:

Bobina

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

4

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.063493 oz

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