STD1NK60T4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Serie:

STD1NK60T4

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

1 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD1NK60T, STD1NK6, STD1NK, STD1N, STD1, STD