STFU15NM65N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

33.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

16.4 mm

Serie:

STFU15NM65N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

10.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

11.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

55.5 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

STFU15, STFU1, STFU, STF