SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4686DY-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4686DY-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SI4686DY-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI4686DY-GE3
Unità di peso
0.006596 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
SOIC-Narrow-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
3 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
8 ns
Ora di alzarsi
20 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
13.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
9.5 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
20 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
20 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI4686DY-T1, SI4686DY-T, SI4686, SI468, SI46, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 18.2A, SOIC
***ponent Sense
MOSFET SO8S N 0.0144R 30V 13A~
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:18.2A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # SI4686DY-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
2500In Stock
  • 2500:$0.6930
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # SI4686DY-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
2500In Stock
  • 1000:$0.7648
  • 500:$0.9687
  • 100:$1.2491
  • 10:$1.5810
  • 1:$1.7800
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # SI4686DY-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
2500In Stock
  • 1000:$0.7648
  • 500:$0.9687
  • 100:$1.2491
  • 10:$1.5810
  • 1:$1.7800
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # SI4686DY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 2500:€0.5219
  • 5000:€0.3559
  • 10000:€0.3059
  • 15000:€0.2829
  • 25000:€0.2629
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # SI4686DY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$0.6189
  • 5000:$0.6009
  • 10000:$0.5759
  • 15000:$0.5599
  • 25000:$0.5449
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # 15R5074
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 18.2A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:18.2A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):14mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.6170
  • 2500:$0.6120
  • 5000:$0.5940
  • 10000:$0.5720
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # 26R1888
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 18.2A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:18.2A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):14mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.4900
  • 10:$1.2300
  • 25:$1.1300
  • 50:$1.0400
  • 100:$0.9410
  • 250:$0.8750
  • 500:$0.8090
SI4686DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4686DY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
2486
  • 1:$1.4900
  • 10:$1.2300
  • 100:$0.9410
  • 500:$0.8090
  • 1000:$0.6390
  • 2500:$0.5960
  • 5000:$0.5670
  • 10000:$0.5530
Immagine Parte # Descrizione
SI4686DY-T1-E3

Mfr.#: SI4686DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4686DY-T1-E3

MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
SI4686DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4686DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4686DY-T1-GE3

MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
SI4686DY

Mfr.#: SI4686DY

OMO.#: OMO-SI4686DY-1190

Nuovo e originale
SI4686DY-T1

Mfr.#: SI4686DY-T1

OMO.#: OMO-SI4686DY-T1-1190

Nuovo e originale
SI4686DY-T1-E3

Mfr.#: SI4686DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4686DY-T1-E3-VISHAY

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
SI4686DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4686DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4686DY-T1-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
SI4686DY-TI-E3

Mfr.#: SI4686DY-TI-E3

OMO.#: OMO-SI4686DY-TI-E3-1190

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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,45 USD
0,45 USD
10
0,43 USD
4,26 USD
100
0,40 USD
40,33 USD
500
0,38 USD
190,45 USD
1000
0,36 USD
358,50 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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