IXYH50N120C3D1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247AD-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

4.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

90 A

Pd - Dissipazione di potenza:

625 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXYH50N120

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

90 A

Marca:

IXYS

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

XPT

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

IXYH50, IXYH5, IXYH, IXY