BSH105,215

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.05 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

3.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

417 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOS Transistor

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Parte # Alias:

BSH105 T/R

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSH105,2, BSH105, BSH10, BSH1, BSH