BSB008NE2LXXUMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDSON-2-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

600 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

343 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

89 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

120 S

Tempo di caduta:

32.4 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

47.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.6 ns

Parte # Alias:

BSB8NE2LXXT SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB