STBV32G-AP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STBV32G

Altezza:

4.95 mm

Lunghezza:

4.95 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

3.94 mm

Marca:

STMicroelectronics

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 500 uA, 2 V, 8 at 500 mA, 2 V, 5 at 1 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

STBV3, STBV, STB