IRFB18N50KPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

290 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

220 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.49 mm

Lunghezza:

10.41 mm

Serie:

IRFB

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

6.4 S

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRFB18N50, IRFB18, IRFB1, IRFB, IRF