SSM6N37FE,LM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ES6-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6N37

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns, 36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns, 18 ns

Unità di peso:

0.001270 oz

Tags

SSM6N37FE,L, SSM6N37FE, SSM6N37F, SSM6N37, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM