CP191V-2N2222A-CT20

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Morire

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

800 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Confezione:

Cialda

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

800 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Tags

CP191, CP19, CP1