BSS169H6327XT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

2.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

BSS169

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Transistor di piccolo segnale SIPMOS

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.1 S

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.9 ns

Parte # Alias:

BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 SP000702572

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSS169H63, BSS169H, BSS169, BSS16, BSS1, BSS