SPI10N10L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

10.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

154 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4.7 S

Tempo di caduta:

17.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.6 ns

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

SPI10N, SPI10, SPI1, SPI