SPP21N50C3XKSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PG-TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

21 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

95 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

208 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

4.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

67 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

SP000681066 SPP21N50C3 SPP21N5C3XK

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

SPP21N50C3, SPP21N5, SPP21N, SPP21, SPP2, SPP