SIHD4N80E-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

E

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

1.5 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Tags

SIHD, SIH