BSC060P03NS3E G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

61 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS P3

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

34 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

139 nS

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

66 nS

Parte # Alias:

BSC060P03NS3EGATMA1 BSC6P3NS3EGXT SP000472984

Unità di peso:

0.003527 oz

Tags

BSC060P, BSC060, BSC06, BSC0, BSC