NGTB50N60S1WG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

100 A

Pd - Dissipazione di potenza:

417 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

50 A

Marca:

ON Semiconductor

Corrente di dispersione gate-emettitore:

200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

NGTB50N60, NGTB50N6, NGTB5, NGTB, NGT