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SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4670DY-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4670DY-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SI4670DY-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Imballaggio alternativo Digi-ReelR
Alias ​​parziali
SI4670DY-GE3
Unità di peso
0.006596 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
8-SO
Configurazione
Doppio con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
2.8W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
25V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
680pF @ 13V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
1.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
50 ns
Ora di alzarsi
50 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
16 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
23 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
20 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
15 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI4670DY-T, SI4670D, SI4670, SI467, SI46, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation, Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # SI4670DY-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5236
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # SI4670DY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4670DY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.4939
  • 5000:$0.4799
  • 10000:$0.4599
  • 15000:$0.4469
  • 25000:$0.4349
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4670DY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
RoHS: Compliant		0
  • 2500:$0.4760
  • 5000:$0.4530
  • 10000:$0.4360
Immagine Parte # Descrizione
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3

 MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3

 MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
SI4670DY

Mfr.#: SI4670DY

OMO.#: OMO-SI4670DY-1190

 Nuovo e originale
SI4670DY-T1-E3-S

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3-S

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-S-1190

 Nuovo e originale
SI4670DY-T1-E3..

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3..

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3--1190

 Nuovo e originale
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
5500
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Il prezzo attuale di SI4670DY-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,65 USD
0,65 USD
10
0,62 USD
6,20 USD
100
0,59 USD
58,71 USD
500
0,55 USD
277,25 USD
1000
0,52 USD
521,90 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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