FMM110-015X2F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

ISOPLUS-i4-PAK-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

53 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

150 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

TrenchT2

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.34 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

FMM110-015X2F

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

75 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

33 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM