BC 808-25 E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC808

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Pd - Dissipazione di potenza:

330 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC80825E6327HTSA1 SP000015031

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BC808-25E6, BC808-25E, BC808-2, BC808, BC80, BC8