BSO080P03S H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

14.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

- 102 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

43 S

Tempo di caduta:

110 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

130 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

BSO080P03SH, BSO080P03S, BSO080P0, BSO080, BSO08, BSO0, BSO