SSM6N39TU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UF-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

87 mOhms, 87 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7.5 nC, 7.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM6N39TU

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S, 2.5 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.3 ns, 8.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.5 ns, 11.5 ns

Unità di peso:

0.000247 oz

Tags

SSM6N39, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM