BLF378

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

125 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-262A

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

225 MHz

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

7 V

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

BLF3, BLF