NVF2955PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1.77 S

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

NVF29, NVF2, NVF