NSVMMBT5087LT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 300 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 50 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

800 at - 100 uA, - 5 VDC

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250 at - 100 uA, - 5 VDC

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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