NE3503M04-A

NE3503M04-A
Mfr. #:
NE3503M04-A
Produttore:
CEL
Descrizione:
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NE3503M04-A Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3503M04-A DatasheetNE3503M04-A Datasheet (P4-P6)NE3503M04-A Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
CEL
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HFET
Tecnologia:
GaAs
Guadagno:
12 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
4 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 3 V
Id - Corrente di scarico continua:
70 mA
Temperatura massima di esercizio:
+ 125 C
Pd - Dissipazione di potenza:
125 mW
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
FTSMM-4 (M04)
Frequenza operativa:
12 GHz
Prodotto:
RF JFET
Tipo:
GaAs HFET
Marca:
CEL
Transconduttanza diretta - Min:
55 mS
Tensione di interruzione gate-source:
- 0.7 V
NF - Figura di rumore:
0.45 dB
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
1
sottocategoria:
transistor
Tags
NE3503M0, NE3503M, NE3503, NE350, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold
***i-Key
FET RF 4V 12GHZ M04
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NE3503M04-A
DISTI # NE3503M04-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF 4V 12GHZ M04
RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3503M04-A
    DISTI # 551-NE3503M04-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      NE350184C

      Mfr.#: NE350184C

      OMO.#: OMO-NE350184C

      RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
      NE3503M04-T2-A

      Mfr.#: NE3503M04-T2-A

      OMO.#: OMO-NE3503M04-T2-A-CEL

      Nuovo e originale
      NE3509M04-A

      Mfr.#: NE3509M04-A

      OMO.#: OMO-NE3509M04-A-CEL

      RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
      NE3508M04-A

      Mfr.#: NE3508M04-A

      OMO.#: OMO-NE3508M04-A-CEL

      RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
      NE3509M04-T2-A

      Mfr.#: NE3509M04-T2-A

      OMO.#: OMO-NE3509M04-T2-A-CEL

      Nuovo e originale
      NE3503M04-T1-A

      Mfr.#: NE3503M04-T1-A

      OMO.#: OMO-NE3503M04-T1-A-1190

      Nuovo e originale
      NE3503M04-T2B-A

      Mfr.#: NE3503M04-T2B-A

      OMO.#: OMO-NE3503M04-T2B-A-CEL

      FET RF 4V 12GHZ M04
      NE3509M04-EVNF24-A

      Mfr.#: NE3509M04-EVNF24-A

      OMO.#: OMO-NE3509M04-EVNF24-A-CEL

      EVAL DEV RF NE3509M04
      NE3509M04-T1-A

      Mfr.#: NE3509M04-T1-A

      OMO.#: OMO-NE3509M04-T1-A-1190

      Nuovo e originale
      NE3509M04-T2

      Mfr.#: NE3509M04-T2

      OMO.#: OMO-NE3509M04-T2-1190

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