NJW44H11G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

-

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

20 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

85 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NJW44H11

Guadagno di corrente CC hFE Max:

320

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

10 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

120 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.194007 oz

Tags

NJW4, NJW