FJN3302RTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

10 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 Kinked Lead

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJN3302R

Confezione:

Pacchetto munizioni

Guadagno di corrente CC hFE Max:

30

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Tipo:

Transistor epitassiale al silicio NPN

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FJN3302RTA_NL

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

FJN3302R, FJN3302, FJN330, FJN33, FJN3, FJN