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RN2104MFV(TPL3)

RN2104MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN2104MFV(TPL3)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN2104MFV(TPL3) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
PNP
Resistenza di ingresso tipica:
47 kOhms
Rapporto resistore tipico:
1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno base/collettore DC hfe min:
80
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
- 100 mA
Corrente di picco del collettore CC:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN2104MFV
Confezione:
Bobina
Guadagno di corrente CC hFE Max:
80
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
8000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN2104M, RN2104, RN210, RN21, RN2
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN2104MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN2104MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
RoHS: Compliant		0
    Immagine Parte # Descrizione
    RN2104MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN2104MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN2104MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN2104MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN2104MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN2104MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN2104MFVL3F-ND

    Mfr.#: RN2104MFVL3F-ND

    OMO.#: OMO-RN2104MFVL3F-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    RN2104MFV

    Mfr.#: RN2104MFV

    OMO.#: OMO-RN2104MFV-1190

    		 Nuovo e originale
    RN2104MFV TPL3

    Mfr.#: RN2104MFV TPL3

    OMO.#: OMO-RN2104MFV-TPL3-1190

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