DMP2022LSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

56.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5.3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMP2022

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

4.1 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

28 S

Tempo di caduta:

76.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

108 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Unità di peso:

0.030018 oz

Tags

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