STS8DN6LF6AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

27 nC, 27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

STRIPFET

Serie:

STS8DN6LF6AG

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

7 ns, 7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns, 56 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.6 ns, 9.6 ns

Tags

STS8D, STS8, STS