SIZ980DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-6x5-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V, 1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 16 V, 20 V

Qg - Carica cancello:

18 nC, 77 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W, 66 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

80 S, 155 S

Tempo di caduta:

10 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns, 75 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 35 ns

Tags

SIZ9, SiZ