UT6MA3TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HUML2020L-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A, 5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms, 42 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV, 1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

4 nC, 6.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

3.1 S, 4.1 S

Tempo di caduta:

5.5 ns, 30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.9 ns, 36 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns, 50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.8 ns, 9 ns

Parte # Alias:

UT6MA3

Tags

UT6MA, UT6M, UT6