STE180NE10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ISOTOP-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.1 mm

Lunghezza:

38.2 mm

Serie:

STE180NE10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

25.5 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

440 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

600 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

430 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

100 ns

Unità di peso:

1 oz

Tags

STE180N, STE18, STE1, STE