Jan2N930/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-72-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

50 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 3 mA, 1 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100 at 10 uA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N9, Jan2N, Jan2, JAN