RSD200N10TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

52 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

193 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

61 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

128 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Parte # Alias:

RSD200N10

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

RSD200N1, RSD200, RSD20, RSD2, RSD